I-Vカーブ測定をしてみました(その4)

次に、セルが故障したときの特性を確認するために、セルに紙をのせて故障状態を再現してみます。

今回のパネルは、9セル×4列なので、2クラスタ構成であると予想できます。

一つのクラスタについて、セルを隠していきます。写真は横置きになっていますので、上の2列から。
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1つのセルを隠しただけでも出力が激減します。
バイパスダイオードが正常に働き、不良セルを含むクラスタが丸ごとパスされているのがわかります。

しかし、半減する程度だろうと予想していましたが、それ以上の低下に驚きました。
この辺の対策は、メーカーに寄って異なるのでしょうか? 是非とも色々なパネルでテストしてみたいところです。

 

続けてもう一方のクラスタについても同様に。
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やはり同様なI-Vカーブとなりました。

クラスタ内に1つでも不良セルがあればバイパスされるということは、いくつ不良セルがあっても同じという事になります。

2つ以上のセルを隠します。
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予想どおりです。
不良セルの特定または断線箇所の特定をするためには、I-Vカーブチェッカーでは出来ないということになります。
不良箇所を特定するためには、セルラインチェッカーが必要になるわけです。

 

ではでは、もう一丁。

両方のクラスタに不良セルがあったらどうなるでしょうか。
答えはパネルごと全滅です。
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それでも電圧は出るんですね?
接続箱で開放電圧を計ってもほとんど意味ないということでしょうか?

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